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SigOFIT光隔离探头OIP B系列

基于独家SigOFIT™技术的光隔离探头，判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判

产品概述

SigOFIT光隔离探头OIP B系列基于独家SigOFIT™技术，拥有极高的共模抑制比和隔离电压，在其带宽范围内洞见信号的全部真相，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

核心规格
                                    带宽范围
                                    100MHz - 500MHz
                                
                                    共模电压
                                    85kVpk
                                
                                    直流增益精度
                                    1%
                                
                                    共模抑制比
                                    高达180dB
                                
                                    差模电压
                                    ±5000V
                                
                                    底噪
                                    <1.46mVrms

产品特色

最真实的信号呈现

SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比，在100MHz时CMRR高达128dB、在500MHz时CMRR仍然高达114dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

极高的测试精度与稳定性

作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。具有极佳的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于1.46mVrms，预热后零点漂移小于500μV。

第三代半导体的最佳测试手段

第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，SigOFIT光隔离探头在最高带宽时，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。

测试氮化镓（GaN）不炸管

SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容低至2.6pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。

测试量程更宽

不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试±1.25V至±5000V的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。

技术参数

型号	OIP100B	OIP200B	OIP500B
带宽	100MHz	200MHz	500MHz
上升时间	≤3.5ns	≤1.75ns	≤700ps
共模抑制比	DC: 180dB 100MHz: 128dB	DC: 180dB 200MHz: 122dB	DC: 180dB 500MHz: 114dB
差模电压	±5000V
底噪	<1.46mVrms
直流增益精度	1%
共模电压	85kVpk

应用场景

SigOFIT光隔离探头广泛应用于各种高精度测试场景：

对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时的最终裁判

电源设备评估、电流并联测量

EMI 和 ESD 故障排除

电机驱动设计、功率转换器设计

电子镇流器设计

氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析

高压高带宽测试应用的安全隔离测试

逆变器、UPS及开关电源的测试

宽电压、宽带测试应用

各种浮地测试

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电话：18022391675 / 020-31801362

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